專家講壇 | 芯片制造先進工藝的挑戰及解決方案
發布日期:2019-06-21

11/06/2019, 陜西光電子先導院在園區活動中心舉辦了以“芯片制造先進工藝的挑戰及解決方案”為主題的專家講壇活動,這也是光電子先導院組織的本年度第二期專家講壇。半導體關鍵裝備和解決方案優秀供應商江蘇魯汶儀器CEO許開東博士、寧波潤華全芯微電子總經理汪鋼先生作為本期特邀嘉賓,為大家分析當前芯片制造工藝的現狀與挑戰,分享最先進的國內外光刻、蝕刻及濕制程工藝技術方案。園區及西安部分芯片產業鏈相關企業代表約60人參加本次專家講壇。


講壇現場

“光電子先導院致力于為光電集成企業搭建開放共贏的交流合作公共平臺,同時做芯片產業鏈相關的產業投資和孵化。面對當前的國際形勢,其核心問題還在于芯片上,今天我們有幸邀請到兩家集成電路產業鏈國產設備供應公司,共同助力中國“芯”,讓中國制造芯片工藝不受制于國外。光電子先導院總經理張思申在講壇開場時說到。


隨著市場對“更小、更快、功耗更低、集成度更高”的芯片性能要求,驅動“新光刻,新材料,新結構”等工藝技術的產生和發展。縱觀邏輯器件技術路線,CMOS scaling還將繼續,5nm邏輯電路技術時代一定會進入大規模生產,2nm及以上還不可預見。許開東博士在講壇上為大家分析了不同光刻技術的發展趨勢、優點及挑戰:EUV光刻設備趨向成熟,但產量依舊供不應求,挑戰集中于產率、光刻膠、掩膜帶來的缺陷問題,7nm/5nm進入大規模生產是業界普遍預料中的事情;DSA(定向自組裝光刻)是近些年先導圖案開發中的黑馬,過去幾年一度非常熱門,但由于缺陷控制太過于艱難,同時EUV光刻逐漸成熟,最近1-2年開始放緩;Multiple patterning(多重圖案化)已經是先導圖案工藝的主流,SADP(多重雙圖案曝光),SAQP(多重四圖案曝光)相繼進入大規模生產。(LE)x(光照-刻蝕)也進入應用。功率器件需要低損傷原子層刻蝕,低損傷鍍膜。硬掩膜在先導圖案模塊中變的更加重要,新的硬掩膜不斷進入先進工藝。MRAM的大規模開發,使得大量非揮發性金屬進入刻蝕,引來刻蝕界的技術革命。

江蘇魯汶儀器和比利時魯汶儀器CEO許開東博士

5G通訊、物聯網、云、大數據等未來時代已來,以LED、微波元件、VCSEL、濾波器、MEMS傳感器等為代表的新型電子器件在國家產業大基金投資后將迎來增長爆發期,這樣給相關芯片生產企業帶來了成長的機會。全芯微電子總經理汪鋼在會上帶大家全面了解濕法去膠剝離工藝技術,分析芯片制造時勻膠工藝存在的缺陷及解決方案,并指出新興半導體設備公司遇到的挑戰和應對策略。“半導體設備研發和制造涉及50多個學科和技術專業領域,激烈競爭導致的技術及設備要求不斷提高,和極少數大公司的壟斷,使進入門檻變得很高,必須通過技術的自主創新,開發出比國際半導體設備技術超前的產品,必須不斷的開發新產品,打開新的市場及增加市場份額,不能只單打一,只瞄準成熟的,飽和的市場。”


寧波潤華全芯微電子設備有限公司總經理汪鋼

打造國際一流半導體裝備的民族品牌,努力為推動半導體設備及零部件國產化和持續降低用戶成本做出貢獻。作為國產的兩家半導體設備研發和產售公司,魯汶儀器和全芯微電子均擁有國際化的研發和管理團隊,其生產和銷售的半導體設備-刻蝕機、鍍膜機、勻膠、顯影、去膠剝離機等,有的性能高于國際品牌,已在多家芯片廠上線應用。

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